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[发明专利]一种石墨烯-CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法-CN201910697433.X在审
发明人：曾和平;黄延伟;贺嘉杨 -专利权人：华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法，其包括以下步骤：将金属离子源分溶解于溶剂中，混匀后，得到CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶静置进行老化后，加入氧化石墨烯分散液，混匀后，干燥得到石墨烯‑CCTO基陶瓷材料的前驱体干粉，将所述石墨烯‑CCTO基陶瓷材料的前驱体干粉研磨成细粉后，在低功率激光下进行辐照，得到石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末；将所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末经过压实成型后，在高功率激光下进行合成，得到所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料。
石墨烯陶瓷材料介电材料陶瓷复合制备陶瓷复合粉末前驱体溶胶前驱体干粉混匀高密度存储器件复合介电材料低功率激光高功率激光金属离子源巨介电材料氧化石墨烯辐照研磨低损耗分散液致密性溶剂介电细粉压实成型溶解合成老化应用

[发明专利]一种具有大电容量和压敏特性的多功能元件及其制备方法-CN200710009395.1无效
发明人：熊兆贤;薛昊;李洁 -专利权人：厦门大学
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种具有大电容量和压敏特性的多功能元件及其制备方法，涉及一种以CCTO陶瓷材料为基础的兼具超大电容量和压敏特性的元器件。提供一种具有超大电容量和压敏特性的多功能电子元器件及其制备方法。设CCTO陶瓷材料介质圆片，在CCTO陶瓷材料介质圆片的上下表面分别设Ag顶电极和Ag底电极，Ag顶电极和Ag底电极均为圆片电极。采用固相反应法合成CCTO粉体；采用干压工艺和冷等静压工艺以及陶瓷烧结工艺将步骤1合成的CCTO粉体制备CCTO陶瓷材料介质圆片；将CCTO陶瓷材料介质圆片进行形状及表面修饰，抛光处理后，采用丝网印刷方法在CCTO陶瓷材料介质圆片上表面和下表面分别制备Ag顶电极和Ag底电极。
一种具有容量特性多功能元件及其制备方法

[发明专利]一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法-CN201910196693.9在审
发明人：曾和平;黄延伟 -专利权人：上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法，其包括如下步骤：将前驱物原料溶解于溶剂中，得到前驱物溶胶；将所述前驱物溶胶静置干燥后，得到干凝胶；将所述干凝胶研磨成细粉后，再烘干研磨，得到CCTO基陶瓷材料的前驱物；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱物置于铜坩埚中，进行激光辐照后，除去溶剂，得到CCTO基陶瓷粉末；将所述CCTO基陶瓷粉末压实成型，进行激光烧结，得到所述巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：此法制备的陶瓷材料的介电常数可达10⁴以上，该制备方法成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。
陶瓷材料制备低损耗前驱物介电前驱物溶胶陶瓷粉末研磨干凝胶溶剂高密度存储器件巨介电材料激光辐照激光烧结介电常数静置干燥原料溶解铜坩埚烘干细粉压实成型应用

[发明专利]一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的烧结方法-CN202011479426.1有效
发明人：李旺;唐鹿 -专利权人：江西科技学院
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铜钙（CaCu3Ti4O12，简称CCTO）陶瓷的制备方法，用以解决现有技术制备CCTO陶瓷时介电损耗较高的技术问题。CCTO陶瓷的烧成。本发明的技术方案操作工艺简单，工艺窗口宽，所得CCTO陶瓷的介电损耗低、介电常数的温度稳定性高。同时，本发明技术方案中CCTO坯体在烧成陶瓷过程中的降温冷却时间明显减小，显著缩短了CCTO陶瓷的烧成时间。
一种介电常数低介电损耗钛酸铜钙陶瓷烧结方法

[发明专利]纳米颗粒填料、硅橡胶复合材料及其制备方法-CN201710365388.9有效
发明人：王希林;郭聚一;王俊;徐笑然;姚有为;贾志东 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C08K3/24 文献下载
摘要：一种用于制备复合绝缘材料的纳米颗粒填料，包括CCTO纳米颗粒和沉积到所述CCTO纳米颗粒表面的ZnO，形成为以CCTO颗粒为核，ZnO颗粒为卫星的纳米包覆结构。一种所述的纳米颗粒填料的制备方法，采用醋酸锌、氢氧化钠和CCTO纳米颗粒进行核‑卫星CCTO@ZnO纳米颗粒的合成，合成过程中利用醋酸锌和氢氧化钠的反应将ZnO沉积到CCTO纳米颗粒表面，从而形成纳米包覆结构
纳米颗粒填料硅橡胶复合材料及其制备方法

[发明专利]一种CaCu3-CN202011469434.8有效
发明人：唐鹿 -专利权人：江西科技学院
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种CaCu3Ti4O12（CCTO）粉体制备及陶瓷烧结方法，以解决现有技术所制备的CCTO陶瓷介电损耗较高的技术问题。本发明也公开了所得CCTO粉体的陶瓷烧结方法，其特征在于将所得的CCTO粉体制成陶瓷坯体后放入气氛炉中，在空气气氛下升温到1070～1100℃时开始保温，并在保温8～10小时后向气氛炉中通入含有高含量氧气的混合气体并快速降温到700℃，之后自然冷却到室温得到CCTO陶瓷。采用本发明所制备的CCTO陶瓷的介电损耗小于0.015，同时介电常数高达40000以上，CCTO陶瓷的综合介电性能明显改善。
一种 cacu base sub

[发明专利]一种壳-芯结构CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷材料及其制备方法-CN201010109339.7无效
发明人：李伟力;费维栋;宋文韬;赵瑜 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明陶瓷材料由晶粒和晶界构成，其中晶粒由CCTO组成，晶界由Ga1-xLaxCu3Ti4O12组成，其中x＝0.1～0.5。本发明制备方法：一、制备CCTO溶胶；二、制备La掺杂CCTO溶胶；三、制备CCTO粉末晶体；四、制备壳-芯结构CCTO半成品；五、制备壳-芯结构CCTO陶瓷材料。
一种结构 cacu sub ti 12 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种碳改性CaCu₃Ti₄O₁₂高介电材料的制备方法-CN201410051008.0有效
发明人：王茂华;张波;周芙 -专利权人：常州大学
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明涉及CCTO介电材料，特指一种碳改性CaCu₃Ti₄O₁₂高介电材料的制备方法。本发明采用溶胶-凝胶法制备CCTO纳米粉体，并以其为原料制备碳改性的CCTO粉体及陶瓷；碳作为一种晶粒拟制剂，在烧结过程中影响界面能，进而阻止晶粒的异常长大，得到晶粒分布更为均匀致密性更好的CCTO陶瓷，通过改变碳的量来制备不同晶粒尺寸的陶瓷；实验结果发现碳改性的CCTO陶瓷具有良好的烧结性能，经过1000℃烧结6小时后的陶瓷具有更低的介电损耗。
一种改性 cacu sub ti 12 高介电材料制备方法

[发明专利]高介电聚酰亚胺复合薄膜的制备方法-CN202210627097.3在审
发明人：汪敏;童瑶 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明根据不同的介电需求，可以通过改变CCTO@AO的添加量，制备不同介电常数的复合薄膜。制备方法为：首先使用Al2O3对CCTO表面进行包裹改性，制备出具有核壳结构的氧化铝包裹的钛酸铜钙(CCTO@AO)，再用原位聚合法制备了CCTO@AO/PI复合溶液，经过高温烧结，可以得到CCTO@AO/PI复合薄膜。
高介电聚酰亚胺复合薄膜制备方法

[发明专利]一种制备核‑壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法-CN201710439314.5在审
发明人：郝文涛;孙礼;吴辉;王明文;杨帅;曹恩思;张雍家 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：解决了目前在降低CCTO陶瓷低频介电损耗时，其低频介电常数也大幅度降低的技术问题。一种制备核‑壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法，包括如下步骤（1）以硝酸钙、硝酸铜和钛酸四丁酯为原料，添加柠檬酸后利用溶胶‑凝胶法制备CCTO粉体；（2）按照CCTO/xTiO2的化学计量比称量CCTO粉体和钛酸四丁酯，添加柠檬酸后利用类溶胶‑凝胶法制备CCTO/TiO2混合粉体；（3）将混合粉体经过充分研磨后，在150 MPa的压强下压制成片状，然后在1080°C下烧结10小时得到CCTO/xTiO2
一种制备结构高介低损钛酸铜钙基陶瓷方法

[发明专利]一种低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法-CN201811330811.2在审
发明人：岳贤宁;徐东;钟素娟;张雷;马佳;鲍丽;宋娟 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明属于电子功能材料技术领域，涉及一种低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法；具体步骤为：首先制备获得CCTO前驱体溶胶；然后清洗硅片，将硅片依次浸入NaOH溶液、去离子水中和无水乙醇中，超声振荡，烘干、冷却后备用；取前驱体溶胶的上层清液保温，在密闭环境中，将清洗后的硅片于CCTO前驱体溶胶中浸渍，匀速取出，置于马弗炉内干燥，形成一层均匀致密的CCTO薄膜，重复操作，直至镀完5层薄膜，得到非晶化CCTO薄膜；置于无水乙醇擦拭后的坩埚中，在空气气氛下进行退火处理，冷却得到CCTO薄膜；本发明方法操作简单，原料价格低廉、环保，制备方法简单且重复性高，介电性能优异，具有良好的应用价值。
制备前驱体溶胶硅片薄膜低介电损耗无水乙醇钛酸铜钙冷却清洗浸渍电子功能材料密闭环境中浸入超声振荡介电性能均匀致密空气气氛上层清液退火处理原料价格重复操作非晶化马弗炉水中和烘干坩埚擦拭保温备用离子取出环保应用

[发明专利]一种聚酰亚胺/钛酸铜钙包覆银纳米颗粒复合材料的制备方法-CN201410015575.0有效
发明人：杨阳;孙浩亮;王自昱;刘雍;熊锐;石兢;雷清泉 -专利权人：武汉大学
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电、低损耗聚酰亚胺/CCTO@Ag纳米颗粒复合材料的制备方法，该方法是以聚酰亚胺为基质制备，将制备好的CCTO@Ag纳米颗粒在无水乙醇中进行超声分散之后，与聚酰亚胺单体共混于溶剂中，然后在室温下使单体进行原位聚合反应，同时实现聚酰亚胺的共聚以及与CCTO@Ag纳米颗粒的插层复合，所得的原液采用涂膜法，经过梯度退火即得到聚酰亚胺/CCTO@Ag纳米颗粒复合薄膜。使用本发明方法制备的聚酰亚胺/CCTO@Ag纳米颗粒复合材料与纯的聚酰亚胺相比，其介电常数（103）提高30倍，且具有较低的介质损耗（0.006），在高储能电容器、人造器官以及高速集成电路等领域具有广阔的应用前景
一种聚酰亚胺钛酸铜钙包覆银纳米颗粒复合材料制备方法

[发明专利]一种电容-压敏双功能陶瓷及其制备方法-CN201510656539.7有效
发明人：郑兴华;黄旭;汤德平 -专利权人：福州大学
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容-压敏双功能CaCu₃Ti₄O₁₂（CCTO）陶瓷及其制备方法。本发明通过熔盐处理CCTO单相粉体，熔盐为NaCl-KCl（NaCl/KCl的质量比为49.3:50.7），然后制备获得高介电常数（ε~4000）、高压敏非线性系数（α为20~45）的电容-压敏双功能CCTO本发明提供的电容-压敏双功能CCTO陶瓷不含Pb、Bi、Cd等原料，原料来源广泛、价格便宜、环保；制备工艺简单，介电性能和压敏性能优异，该陶瓷材料具有极大的工业应用价值。
一种电容压敏双功能陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多孔钛酸铜钙薄膜的制备方法-CN201710896396.6有效
发明人：李亚巍;陈栋;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔钛酸铜钙CaCu3Ti4O12（简称CCTO）薄膜的制备方法,该方法以镍酸镧LaNiO3（简称LNO）为缓冲层，在LNO覆盖的衬底上，采用溶液化学方法涂覆CCTO湿膜；通过热处理，得到具有多孔结构的CCTO薄膜。本发明无需模板，能在较低成本的工艺条件下，制备出表面形貌呈现多孔结构的CCTO薄膜材料，在多孔陶瓷、高密度能量存储等领域具有广阔的应用前景。
一种多孔钛酸铜钙薄膜制备方法

[发明专利]一种制备核‑壳结构的钛酸铜钙基陶瓷的方法-CN201710439313.0在审
发明人：郝文涛;孙礼;杨帅;王明文;吴辉;曹恩思;张雍家 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：一种制备核‑壳结构的钛酸铜钙基陶瓷的方法，包括如下步骤（1）以硝酸钙、硝酸铜、钛酸四丁酯为初始原料，添加柠檬酸后利用溶胶‑凝胶法制备了CCTO粉体；（2）按照CCTO/xMgTiO3的化学计量比精确称量CCTO粉体、硝酸镁、钛酸四丁酯，再称量柠檬酸，并将它们置于乙醇中充分搅拌，形成悬浊液，并最终得到CCTO/MgTiO3混合粉体；（3）将粉体经过充分研磨后，在150 MPa的压强下压制成片状，然后在1080°C下烧结10小时得到CCTO/xMgTiO3陶瓷。
一种制备结构钛酸铜钙基陶瓷方法

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